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51 처지: CMOS, 띠틈, 마이크로미터, 마이크로프로세서, 마틴 아탈라, 갈륨비소, 반도체 소자, 바이어스, 강대원, 벨 연구소, 규소, 나노미터, 디지털 회로, 논리 회로, 니켈, IBM, 트랜지스터, 장효과 트랜지스터, 이산화 규소, 일함수, 제조업, 접합형 트랜지스터, 전도, 전도띠, 전력, 전력 MOSFET, 전기용량, 전자볼트, 전압, 저마늄, 저항기, 존 바딘, 집적 회로, 지르코늄, 축전기, 코발트, 유전체 (물리학), 윌리엄 쇼클리, 탄탈럼, 타이타늄, 양자역학, 열폭주, 하프늄, 아날로그 회로, 텅스텐, 원자, 원자가띠, 웨이퍼, 월터 하우저 브래튼, N형 반도체, ..., P형 반도체. 색인을 확장하십시오 (1 더) »
CMOS
정적 시모스 인버터 CMOS(Complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용.
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띠틈
응집물질물리학에서 띠틈(밴드 갭), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리.
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마이크로미터
소섬유 (6µm)와 사람의 머리카락(50µm)의 두께 비교 마이크로미터(단위: µm)는 미터의 백만분의 일에 해당하는 길이의 단위이.
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마이크로프로세서
인텔 4004는 최초의 일반용, 상용 마이크로프로세서이다. 마이크로프로세서() 또는 초소형 연산 처리 장치(超小型演算處理裝置)는 컴퓨터의 중앙 처리 장치(CPU)를 말. 기계어 코드를 실행하기 위해 실행과정을 단계별로 나누어 처리를 위한 마이크로 코드를 작성하고, 이 마이크로 코드에 의해 단계적으로 처리하는 논리회로를 말. 초기의 마이크로프로세서는 하나의 칩으로 만들어졌으나, 점점 다른 하드웨어 요소들을 집적시키는 경향이 있. 따라서 CPU-코어라는 말로 다른 요소들과 구별.
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마틴 아탈라
마틴 모하메드 존 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)는 미국의 발명가, 반도체 물리학자, 공학자이.
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갈륨비소
륨비소(Gallium arsenide, GaAs)는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이.
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반도체 소자
반도체 소자 (半導體素子, semiconductor device) 또는 솔리드 스테이트 소자 (solid state device)는 전자공학에서, 반도체의 전기 전도 특성을 이용한 전자 회로나 비슷한 장치에 주로 쓰이는 부품을 뜻. 휴대전화, 컴퓨터, 텔레비전과 같은 현대의 전자제품에 반드시 내장되기 때문에, 공학에서 매우 중요.
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바이어스
접합형 트랜지스터에서 전압분배 회로에 의한 바이어스 예 전자공학에서 바이어스(Biasing, Q-point)는 전압이나 전류의 동작점을 미리 결정하는 것을 말. 동작점을 기준으로 목적하는 기능이 수행 되도록 환경을 조성하는 역할을.
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강대원
강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일-1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이.
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벨 연구소
벨 연구소 노키아 벨 연구소()은 미국의 케이블및 통신업 관련 연구소이.
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규소
소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.
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나노미터
미터(단위: nm)는 미터의 십억분의 일에 해당하는 길이의 단위이.
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디지털 회로
브레드보드에 구현한 디지털 회로 디지털 회로 (digital circuit)은 디지털 신호를 이용하는 전자 회로로, 아날로그 신호를 이용하는 아날로그 회로와는 반대되는 개념이.
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논리 회로
전자공학에서 논리 회로는 불 대수를 물리적 장치에 구현한 것으로, 하나 이상의 논리적 입력값에 대해 논리 연산을 수행하여 하나의 논리적 출력값을 얻는 전자회로를 말. AND, OR, NOT의 기본 불 대수를 수행하며, 이 기본 불 대수들의 결합으로 복합적인 논리 기능을 수행.
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니켈
(←)은 화학 원소로 기호는 Ni(←)이고 원자 번호는 28이.
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IBM
국제사무기기회사(國際事務機器會社, International Business Machines Corporation; IBM)는 미국의 다국적 기술 및 컨설팅 회사이.
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트랜지스터
여러 종류의 트랜지스터 트랜지스터는 게르마늄, 규소 따위의 반도체를 이용하여 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 반도체소자이.
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장효과 트랜지스터
장효과 트랜지스터 또는 전계효과 트랜지스터(field effect transistor, 약자 FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이.
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이산화 규소
이산화 규소(二酸化硅素)는 규소의 산화물로, 화학식은 SiO2이.
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일함수
일함수(work function)는 응집물질물리학에서 어떤 고체의 표면에서 한 개의 전자를 고체 밖으로 빼내는 데 필요한 에. 전도띠가 있는 고체의 특징 중.
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제조업
300px 제조업(製造業, manufacturing)은 원재료를 인력이나 기계력 및 여러 다른 힘으로 가공하여 제품을 대량 생산 및 제공하는 산업이.
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접합형 트랜지스터
접합형 트랜지스터는 1947년 Bell 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었.
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전도
전도는 다음 뜻으로 쓰인.
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전도띠
반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이.
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전력
전력(電力)은 단위 시간 당 전류가 할 수 있는 일의 양을 말.전자기술연구회, 《초보의 전기전자 교본》, 기문사, 1988년,, 22쪽 전기 회로에서 일을 하는 순간의 전기량을 전기 전력량이.
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전력 MOSFET
볼트의 차단전압과 120 암페어의 지속전류를 유지할 수 있다. 전력 모스펫 (Power MOSFET)은 큰 전력을 처리하기위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 특정 종류이.
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전기용량
전자기학에서, 전기 용량(電氣容量, 커패시턴스) 또는 전기 들이(電氣-)는 축전기가 전하를 저장할 수 있는 능력을 나타내는 물리량이며, 단위 전압에서 축전기가 저장하는 전하이.
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전자볼트
전자볼트(기호 eV)는 에너지의 단위로, 전자 하나가 1 볼트의 전위를 거슬러 올라갈 때 드는 일로 정의.
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전압
전압(電壓) 또는 전위차(電位差)는 전기장 안에서 전하가 갖는 전위의 차이이.
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저마늄
저마늄(←) 또는 게르마늄(←)은 화학 원소로 기호는 Ge(←)이고 원자 번호는 32이.
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저항기
저항기의 모습 저항기(抵抗器)는 저항 성질을 띠는 회로 소자이.
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존 바딘
존 바딘 (John Bardeen, 1908년 5월 23일 – 1991년 1월 30일)은 미국의 물리학자이.
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집적 회로
비휘발성 반도체 기억장치. 이 패키지는 안쪽의 다이를 보여주는 투명한 창이 있다. 이 창이 칩을 자외선에 노출시켜 메모리를 지울 수 있게 한다.DIP패키지형이다. EPROM 메모리 집적회로, 메모리 블럭으로 구성 및 집적되어 있다. 외부회로와 연결하기 위해 silver wires 본딩으로 리드선과 연결되어 패키지화되어 있다. 아트멜 다이옵시스 740 시스템의 집적 회로는 주변 기기 주위에 있는 메모리 블록, 논리 및 입출력 패드를 보여 준다. 집적 회로(集積回路) 또는 모놀리식 집적회로, 칩, 마이크로칩, IC는 반도체에 만든 전자회로의 집합을 말. 집적회로는 여러 독립된 요소를 집적해서 하나의 칩으로 만든 것인데, 각각의 트랜지스터 칩을 이용해서 회로로 만들 때 보다 훨씬 작게 만들 수 있. 집적회로는 손톱수준의 크기에 수십억 개의 트랜지스터나 다른 전자부품이 들어갈 수 있을 정도로 조밀하게 만들 수 있. 기술이 발전할수록 회로선폭은 점점 더 세밀.
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지르코늄
르코늄(←,←)은 화학 원소로 기호는 Zr(←), 원자 번호는 40이.
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축전기
축전기(커패시터) 또는 콘덴서(condenser)란 전기 회로에서 전기 용량을 전기적 퍼텐셜 에너지를 저장하는 장치이.
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코발트
발트(←)는 화학 원소로 기호는 Co(←)이고 원자 번호는 27이.
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유전체 (물리학)
극성을 띈 유전체 유전체(誘電體)는 전기장 안에서 극성을 지니게 되는 절연체이.
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윌리엄 쇼클리
윌리엄 브래드퍼드 쇼클리 (William Bradford Shockley 1910년 2월 13일 - 1989년 8월 12일)는 미국 물리학자이.
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탄탈럼
, 탄탈룸(←) 또는 탄탈(←)은 화학 원소로 기호는 Ta(←), 원자 번호는 73이.
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타이타늄
이타늄, 티타늄(←) 또는 티탄(←)은 화학 원소로 기호는 Ti(←)이고 원자 번호는 22이.
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양자역학
양자역학(量子力學)은 분자, 원자, 전자, 소립자와 미시적인 계의 현상을 다루는 즉, 작은 크기를 갖는 계의 현상을 연구하는 물리학의 분야이.
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열폭주
열폭주를 나타낸 도해.반응이 일어남으로써 열이 발생하고, 열이 반응을 가속시키고, 반응은 열을 발생시킨다. 파멸적 결과가 발생할 때까지 양성 피드백은 반복된다. 열폭주(熱暴走)는 온도 변화가 그 온도 변화를 더욱 가속시키는 방향으로 환경을 변화시키는 상태를 말. 일반적으로 열폭주의 결과물은 매우 파괴적이.
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하프늄
(←, ←)은 화학 원소로 기호는 Hf(←), 원자 번호는 72이.
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아날로그 회로
아날로그 회로는 아날로그 전기 신호를 처리하는 전자 회로이.
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텅스텐
텅스텐 봉 텅스텐(←) 또는 볼프람(←)은 화학 원소로 기호는 W(←), 원자 번호는 74이.
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원자
원자(原子, atom)는 화학 반응을 통해 더 쪼갤 수 없는 단위를 말. 현대 물리학의 관점에서 볼 때 원자는 원자핵과 전자로 이루어져 있으며, 원자핵은 중성자와 양성자로 구성.
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원자가띠
고체물리학에서 원자가띠(原子價-, valence band)란, 절대영도에서 전자가 존재하는 가장 높은 전자 에너지 범위를 가리.
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웨이퍼
에칭 가공된 실리콘 웨이퍼 웨이퍼(wafer), 일명 슬라이스 또는 기판은 집적 회로 제작을 위한 전자 기기 및 기존의 웨이퍼 기반 태양광 전지에 사용되는 결정질 실리콘과 같은 반도체 소재의 얇은 조각이.
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월터 하우저 브래튼
월터 하우저 브래튼(Walter Houser Brattain, 1902년 2월 10일~1987년 10월 13일)은 미국의 물리학자로 존 바딘, 윌리엄 쇼클리와 함께 트랜지스터를 발명하였고, 그 공로로 1956년 노벨 물리학상을 받았.
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N형 반도체
N형 반도체란, 전하를 옮기는 캐리어로 자유전자가 사용되는 반도체이.
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P형 반도체
P형 반도체란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공 (홀)이 사용되는 반도체이.
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금속 산화막 반도체, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터, 모스펫.
