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42 처지: 띠구조, 띠틈, 갈륨, 결정, 결정 구조, 공유 결합, 붕소, 규소, 금속, 비스무트, 비소, 다이오드, 다이아몬드, 페르미 준위, 이온, 인, 인듐, 음향양자, 절대 영도, 절연체, 전도도, 전도띠, 전류, 전기 전도체, 전자, 전자볼트, 전자공학, 전하 운반자, 집적 회로, 유효질량, 순도 (물질), 양공, 양공 (물리학), 서미스터, 알루미늄, 안티모니, 실온, 원자가 전자, 원자가띠, 웨이퍼, N형 반도체, PN 접합.
띠구조
doi.
띠틈
응집물질물리학에서 띠틈(밴드 갭), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리.
갈륨
륨(←, ←)은 화학 원소로 기호는 Ga(←)이고 원자 번호는 31이.
결정
자수정 석영의 결정. 결정(結晶, crystal)이란 원자의 배열이 공간적으로 반복된 패턴을 가지는 물질이.
결정 구조
인슐린 결정. 광물학과 결정학에서, 결정 구조(結晶構造)는 결정 안에 있는 원자들의 독특한 배열이.
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공유 결합
물 분자는 공유 결합에 의하여 특유의 각도를 갖는 분자를 구성한다. 공유결합(共有結合, covalent bond)은 화학 결합중 전자를 원자들이 공유하였을 때 생성되는 결합을 이르는 말이.
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붕소
붕소(硼素←)는 준금속 화학 원소로 기호는 B(←)이고 원자 번호는 5이.
규소
소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.
금속
대장장이로부터의 뜨거운 금속 작업. 금속(金屬, metal)은 일반적으로 단단하고 광택이 있으며, 열 전도율과 전기 전도도가 높은 물질을 아우른.
비스무트
비스무트(←)는 화학 원소로 기호는 Bi(←), 원자 번호는 83이며, 원자량은 208.980이.
비소
비소(砒素←)는 화학 원소로 기호는 As(←)이고 원자 번호는 33이.
다이오드
isbn.
다이아몬드
브릴리언트 컷 다이아몬드. 다이아몬드()는 천연광물 중 가장 굳기가 우수하며, 광채가 뛰어난 보석으로 금강석(金剛石)이라고도 부른.
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페르미 준위
르미 준위란 물리학 (양자 역학)에서 페르미-디랙 통계의 변수나 페르미입자계의 화학 위치에너지 μ이.
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이온
이온(ion)은 원자 또는 분자의 특정한 상태를 나타내는 용어로, 전자를 잃거나 얻어 전하를 띠는 원자 또는 분자를 이른.
인
인(燐)은 화학 원소로 원자 기호는 P(←)이고 원자 번호는 15.
인듐
인듐(←, ←)은 화학 원소로 기호는 In(←)이고 원자 번호는 49이.
음향양자
1차원 격자의 정규 진동 모드. 이를 양자화하면 음향양자를 얻는다. 음향양자(音響量子, phonon)는 응집물질물리학에서 결정 격자의 양자화된 진동을 나타내는 준입자이.
절대 영도
0 켈빈 (−273.15 °C) 은 절대 영도로 정의된다. 절대 영도(絶對零度, Absolute Zero)는 물리학에서 거시적으로 이론적인 온도의 최저점으로 0 켈빈의 온도를 의미.
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절연체
절연체 (絶緣體)는 전기나 열을 전달하기 어려운 성질을 가지는 물질의 총칭이.
전도도
전도도(傳導度, 컨덕턴스) 또는 거꿀 저항(-抵抗)은 전기저항의 역수이.
전도띠
반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이.
전류
섬네일 전류(電流)는 전하의 흐름으로, 단위 시간 동안에 흐른 전하의 양으로 정의.
전기 전도체
전기 전도체 (電氣傳導體)는 전도도가 높아서 전기가 통하기 쉬운 재료를 말. 줄여서 도체라고 부른.
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전자
전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.
전자볼트
전자볼트(기호 eV)는 에너지의 단위로, 전자 하나가 1 볼트의 전위를 거슬러 올라갈 때 드는 일로 정의.
전자공학
0805 사이즈의 저항을 납땜하고 있다. 전자공학(電子工學, electronics)은 구동력으로서 전력을 이용하는 구성장치, 시스템 또는 여러 장비(진공관, 트랜지스터, 집적회로, 프린트 배선 기판)들을 개발하기 위하여 전자들의 운동에 대한 영향과 행동에 대한 과학적 지식을 연구하는 공학의 한 분야이.
전하 운반자
전하 운반자(電荷 運搬子)는 전하가 운반되는 전자나 양공을 가리키는 말이.
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집적 회로
비휘발성 반도체 기억장치. 이 패키지는 안쪽의 다이를 보여주는 투명한 창이 있다. 이 창이 칩을 자외선에 노출시켜 메모리를 지울 수 있게 한다.DIP패키지형이다. EPROM 메모리 집적회로, 메모리 블럭으로 구성 및 집적되어 있다. 외부회로와 연결하기 위해 silver wires 본딩으로 리드선과 연결되어 패키지화되어 있다. 아트멜 다이옵시스 740 시스템의 집적 회로는 주변 기기 주위에 있는 메모리 블록, 논리 및 입출력 패드를 보여 준다. 집적 회로(集積回路) 또는 모놀리식 집적회로, 칩, 마이크로칩, IC는 반도체에 만든 전자회로의 집합을 말. 집적회로는 여러 독립된 요소를 집적해서 하나의 칩으로 만든 것인데, 각각의 트랜지스터 칩을 이용해서 회로로 만들 때 보다 훨씬 작게 만들 수 있. 집적회로는 손톱수준의 크기에 수십억 개의 트랜지스터나 다른 전자부품이 들어갈 수 있을 정도로 조밀하게 만들 수 있. 기술이 발전할수록 회로선폭은 점점 더 세밀.
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유효질량
유효질량(有效質量, effective mass)은 결정 안 전자의 겉보기 질량을 말.
순도 (물질)
순도(純度, purity)는 물질의 화학적 순수함의 척도이.
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양공
양공의 다른 뜻은 다음과 같.
양공 (물리학)
응집물질물리학에서, 양공(陽孔)은 반도체 (혹은 절연체)에 대하여 (원래 전자로 채워져 있어야 됨) 원자가띠의 전자가 부족한 상태인 준입자이.
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서미스터
서미스터의 일종인 NTC 서미스터 서미스터(thermistor)란 저항기의 일종으로, 온도에 따라 물질의 저항이 변화하는 성질을 이용한 전기적 장치이.
알루미늄
알루미늄(←,, ←) 또는 반소(礬素←)는 전이후 금속에 속하는 화학 원소로 기호는 Al(←)이고 원자 번호는 13이.
안티모니
안티모니(←) 또는 안티몬(←)은 화학 원소로 기호는 Sb(←)이고 원자 번호는 51이.
실온
실온은 대략 섭씨 21-23 도 (294-296 켈빈)의 온도를 말. 식품공전에서는 온도의 표시는 셀시우스법(℃)을 쓰며, 표준온도는 20℃, 상온은 15~25℃, 실온은 1~35℃, 미온은 30~40℃.
원자가 전자
4개의 공유 결합. 탄소(C)는 4개의 원자가 전자를 가지며 원자가가 4가이다. 수소(H)는 1개의 원자가 전자를 가지며 1가이다. 원자가 전자(原子價電子, Valence electron)는 어떤 원자의 최외각전자껍질 즉, 가장 바깥껍질에 있는 전자이며, 화학 반응에 참여할 가능성을 가진 전자이.
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원자가띠
고체물리학에서 원자가띠(原子價-, valence band)란, 절대영도에서 전자가 존재하는 가장 높은 전자 에너지 범위를 가리.
웨이퍼
에칭 가공된 실리콘 웨이퍼 웨이퍼(wafer), 일명 슬라이스 또는 기판은 집적 회로 제작을 위한 전자 기기 및 기존의 웨이퍼 기반 태양광 전지에 사용되는 결정질 실리콘과 같은 반도체 소재의 얇은 조각이.
N형 반도체
N형 반도체란, 전하를 옮기는 캐리어로 자유전자가 사용되는 반도체이.
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PN 접합
실리콘 p-n 접합 (전압을 주지 않음). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이.
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