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광다이오드와 반도체

바로 가기: 차이점, 유사점, Jaccard 유사성 계수, 참고 문헌.

광다이오드와 반도체의 차이

광다이오드 vs. 반도체

광다이오드 광다이오드 확대 광다이오드(포토다이오드)란 광검출기같은 기능이 있는 반도체 다이오드이. 반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체 물질이.

광다이오드와 반도체의 유사점

광다이오드와 반도체는 공통적으로 6 가지를 가지고 있습니다 (유니온백과에서): 띠틈, 규소, 다이오드, 전자, 전자공학, PN 접합.

띠틈

응집물질물리학에서 띠틈(밴드 갭), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리.

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규소

소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.

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다이오드

isbn.

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전자

전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.

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전자공학

0805 사이즈의 저항을 납땜하고 있다. 전자공학(電子工學, electronics)은 구동력으로서 전력을 이용하는 구성장치, 시스템 또는 여러 장비(진공관, 트랜지스터, 집적회로, 프린트 배선 기판)들을 개발하기 위하여 전자들의 운동에 대한 영향과 행동에 대한 과학적 지식을 연구하는 공학의 한 분야이.

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PN 접합

실리콘 p-n 접합 (전압을 주지 않음). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이.

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위의 목록은 다음 질문에 대한 대답입니다

광다이오드와 반도체의 비교.

광다이오드에는 37 개의 관계가 있고 반도체에는 42 개의 관계가 있습니다. 그들은 공통점 6을 가지고 있기 때문에, Jaccard 지수는 7.59%입니다 = 6 / (37 + 42).

참고 문헌

이 기사에서는 광다이오드와 반도체의 관계를 보여줍니다. 정보가 추출 된 각 기사에 액세스하려면 다음 사이트를 방문하십시오: