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26 처지: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DIMM, DIP, 랜덤 액세스 메모리, 마이크론 테크놀로지, 기억 장치, 블레츨리 파크, 비트, 듀얼 포트 램, IBM 왓슨 연구소, 트랜지스터, 제2차 세계 대전, 전자, 정보, 정적 램, 축전기, 삼성그룹, 플래시 메모리, 플립플롭, 터널 다이오드, RDRAM, SDRAM, SIMM, SO-DIMM.
DDR SDRAM
스크톱 PC용 메모리 모듈 메모리 비교. 휴대용 노트북 메모리 모듈 비교. 삼성사의 PC-3200 DDR-400 램 그리고 그 뒷면 DDR SDRAM(Double data rate synchronous dynamic random access memory)은 컴퓨터에 쓰이는 메모리 집적 회로 계열이.
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DDR2 SDRAM
1기가바이트 DDR2 SDRAM 전자 공학에서 DDR2 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이.
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DDR3 SDRAM
스크톱 PC용 메모리 모듈 메모리 비교. 휴대용 노트북 메모리 모듈 비교. 전자 공학에서 DDR3 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이.
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DIMM
3개의 SDRAM DIMM 슬롯 DIMM(dual in-line memory module, 듀얼 인라인 메모리 모듈)은 여러 개의 DRAM 칩을 회로 기판 위에 탑재한 메모리 모듈을 가리키며, 컴퓨터의 주기억 메모리로 쓰인.
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DIP
DIP의 다른 뜻은 다음과 같.
랜덤 액세스 메모리
RAM의 종류. 위에서부터 DIP, SIPP, SIMM 30핀, SIMM 72핀, DIMM (SDRAM), DIMM(DDR-SDRAM) 컴퓨터에서 랜덤 액세스 메모리(Random Access Memory, 임의 접근 기억 장치) 즉 램(RAM)은 임의의 영역에 접근하여 읽고 쓰기가 가능한 주기억 장치이.
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마이크론 테크놀로지
마이크론 테크놀로지()는 미국의 플래시 메모리 카드 제품을 설계하고 시장에 판매하는 기업이.
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기억 장치
1 기가바이트의 DDR2 SDRAM을 개인 컴퓨터에 장착한 모습. 40 기가바이트의 하드 디스크 드라이브 (HDD). 기존의 컴퓨터에 연결할 때 세컨더리(secondary) 기억 장치의 역할을 함. 기억 장치(記憶裝置)는 컴퓨터에서 자료를 일시적으로, 또는 영구히 보존하는 장치를 말. 비슷한 말로 저장 장치라고도 하는데 이때는 대체로 비휘발성의 기억 장치를 의미.
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블레츨리 파크
블레츨리 파크(Bletchley Park)는 영국 버킹엄셔 주 밀턴케인스에 있는 정원과 저택이.
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비트
비트(bit, binary digit)는 하나의 비트는 0이나 1의 값을 가질 수 있고, 각각은 참, 거짓 혹은 서로 배타적인 상태를.
듀얼 포트 램
얼 포트 램(Dual-ported RAM, DPRAM)은 램의 한 종류로 다수의 읽거나 쓰기가 동시에 가능.
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IBM 왓슨 연구소
왓슨 연구소의 중앙 건물. 중앙 건물의 위성사진 IBM 왓슨 연구소(토머스 J. 왓슨 리서치 센터) 는 IBM 연구 부문을 총괄하는 IBM 내 조직이자 본부 연구 센터이.
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트랜지스터
여러 종류의 트랜지스터 트랜지스터는 게르마늄, 규소 따위의 반도체를 이용하여 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 반도체소자이.
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제2차 세계 대전
제2차 세계 대전(또는 World War II)은 1939년 9월 1일부터 1945년 9월 2일까지 치러진, 인류 역사상 가장 많은 인명 피해와 재산 피해를 남긴 가장 파괴적인 전쟁이.
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전자
전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.
정보
정보(情報)는 특정 목적을 위하여 광(光) 또는 전자적 방식으로 처리되어 부호, 문자, 음성, 음향 및 영상 등으로 표현 모든 종류의 자료 또는 지식을 말한다(국가정보화 기본법 제3조).
정적 램
NES용 정적 램 칩 6개의 트랜지스터로 구성된 CMOS SRAM 소자. 정적 램(靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램(SRAM)은 반도체 기억 장치의 한 종류이.
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축전기
축전기(커패시터) 또는 콘덴서(condenser)란 전기 회로에서 전기 용량을 전기적 퍼텐셜 에너지를 저장하는 장치이.
삼성그룹
삼성(三星)은 대한민국에 본사를 둔 다국적 기업집단이.
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플래시 메모리
USB 플래시 드라이브. 왼쪽에 있는 칩이 플래시 메모리. 마이크로 컨트롤러는 오른쪽에 있다. 플래시 메모리(flash memory)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있. 이제는 플래시 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었.
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플립플롭
''R1, R2''.
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터널 다이오드
부성저항 특성 1N3716 에사키 다이오드 터널 다이오드()는 반도체 다이오드의 일종이.
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RDRAM
RDRAM, 곧 램버스 디램(Rambus DRAM)은 동기 디램의 일종이며 램버스사가 개발하였.
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SDRAM
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory, 에스디 램)은 DRAM의 발전된 형태이.
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SIMM
30핀 SIMM, 256kb SIMM(single in-line memory module, 싱글 인라인 메모리 모듈)은 개인용 컴퓨터의 램 메모리 모듈의 일종으로 현재 주류인 DIMM과는 다르.
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SO-DIMM
PC6400 DDR2 SO-DIMM (200핀) PC3-10600 DDR3 SO-DIMM (204핀) SO-DIMM(small outline dual in-line memory module)은 집적 회로를 사용하여 만든 컴퓨터 메모리의 일종이.
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DRAM, D램, PSRAM, VRAM, 비데오기억기, 비디오 메모리, 비디오 램, 비디오램, 디램.
