띠틈와 발광 다이오드

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띠틈와 발광 다이오드의 차이

띠틈 vs. 발광 다이오드

응집물질물리학에서 띠틈(밴드 갭), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리. 발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이.

띠구조

doi.

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발광 다이오드

발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이.

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반도체

반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체 물질이.

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반도체 소자

반도체 소자 (半導體素子, semiconductor device) 또는 솔리드 스테이트 소자 (solid state device)는 전자공학에서, 반도체의 전기 전도 특성을 이용한 전자 회로나 비슷한 장치에 주로 쓰이는 부품을 뜻. 휴대전화, 컴퓨터, 텔레비전과 같은 현대의 전자제품에 반드시 내장되기 때문에, 공학에서 매우 중요.

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규소

소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.

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빛

right 빛이란 좁은 의미에서 가시광선, 즉 일반적으로 사람이 볼 수 있는, 약 400 nm에서 700nm 사이의 파장을 가진 전자기파를 뜻. 넓은 의미에서는 모든 종류의 전자기파를 지칭.

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전도띠

반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이.

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전자

전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.

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에너지

에너지(←, ←)는 물리학에서 일을 할 수 있는 능력을 뜻. 이에 크게 벗어나지 않게, 일반적으로 '석유 에너지', '원자력 에너지'와 같이 '에너지원'이라는 뜻으로도 쓰인.

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원자가띠

고체물리학에서 원자가띠(原子價-, valence band)란, 절대영도에서 전자가 존재하는 가장 높은 전자 에너지 범위를 가리.

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PN 접합

실리콘 p-n 접합 (전압을 주지 않음). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이.

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