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반도체와 발광 다이오드

바로 가기: 차이점, 유사점, Jaccard 유사성 계수, 참고 문헌.

반도체와 발광 다이오드의 차이

반도체 vs. 발광 다이오드

반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체 물질이. 발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이.

반도체와 발광 다이오드의 유사점

반도체와 발광 다이오드는 공통적으로 10 가지를 가지고 있습니다 (유니온백과에서): 띠구조, 띠틈, 규소, 다이아몬드, 인듐, 전도띠, 전자, 양공, 원자가띠, PN 접합.

띠구조

doi.

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띠틈

응집물질물리학에서 띠틈(밴드 갭), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리.

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규소

소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.

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다이아몬드

브릴리언트 컷 다이아몬드. 다이아몬드()는 천연광물 중 가장 굳기가 우수하며, 광채가 뛰어난 보석으로 금강석(金剛石)이라고도 부른.

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인듐

인듐(←, ←)은 화학 원소로 기호는 In(←)이고 원자 번호는 49이.

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전도띠

반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이.

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전자

전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.

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양공

양공의 다른 뜻은 다음과 같.

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원자가띠

고체물리학에서 원자가띠(原子價-, valence band)란, 절대영도에서 전자가 존재하는 가장 높은 전자 에너지 범위를 가리.

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PN 접합

실리콘 p-n 접합 (전압을 주지 않음). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이.

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위의 목록은 다음 질문에 대한 대답입니다

반도체와 발광 다이오드의 비교.

반도체에는 42 개의 관계가 있고 발광 다이오드에는 67 개의 관계가 있습니다. 그들은 공통점 10을 가지고 있기 때문에, Jaccard 지수는 9.17%입니다 = 10 / (42 + 67).

참고 문헌

이 기사에서는 반도체와 발광 다이오드의 관계를 보여줍니다. 정보가 추출 된 각 기사에 액세스하려면 다음 사이트를 방문하십시오:

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