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오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터

바로 가기: 차이점, 유사점, Jaccard 유사성 계수, 참고 문헌.

오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 차이

오사카 시 교통국 23계 전동차 vs. 절연 게이트 양극성 트랜지스터

오사카 시 교통국 23계 전동차()는 오사카 시 교통국 20계 전동차의 두 번째 모델로 1990년부터 1997년까지 제작된 차량으로 오사카 시영 지하철 요쓰바시 선에 도입하기 위해 투입되었. 호 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated gate bipolar transistor, IGBT)는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 접합형 트랜지스터이.

오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 유사점

오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터는 공통적으로 2 가지를 가지고 있습니다 (유니온백과에서): 가변 전압 가변 주파수 제어, 게이트 턴 오프 사이리스터.

가변 전압 가변 주파수 제어

변 전압 가변 주파수 제어(可變電壓可變周波數制御/可變電壓可變周波數制馭)는 인버터 등의 교류 전력을 출력하는 전력 변환 장치에 두어, 출력되는 교류 전력의 실효 전압과 주파수를 임의로 가변 제어하는 기술을 이른.

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게이트 턴 오프 사이리스터

GTO의 회로도 기호 또 하나의 사이리스터 회로 기호. 우측이 가장 일반적이다 게이트 턴 오프 사이리스터 (Gate Turn-Off thyristor; GTO)는 반도체 소자의 일종으로서, 게이트에 역방향의 전류를 흐르게 하는 것으로 턴 오프할 수 있는 기능을 가진 사이리스터이.

게이트 턴 오프 사이리스터와 오사카 시 교통국 23계 전동차 · 게이트 턴 오프 사이리스터와 절연 게이트 양극성 트랜지스터 · 더보기 »

위의 목록은 다음 질문에 대한 대답입니다

오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 비교.

오사카 시 교통국 23계 전동차에는 13 개의 관계가 있고 절연 게이트 양극성 트랜지스터에는 15 개의 관계가 있습니다. 그들은 공통점 2을 가지고 있기 때문에, Jaccard 지수는 7.14%입니다 = 2 / (13 + 15).

참고 문헌

이 기사에서는 오사카 시 교통국 23계 전동차와 절연 게이트 양극성 트랜지스터의 관계를 보여줍니다. 정보가 추출 된 각 기사에 액세스하려면 다음 사이트를 방문하십시오:

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