목차
25 처지: 도핑, 띠구조, 발광 다이오드, 갈륨비소, 반도체, 반도체 소자, 광전 효과, 불순물준위, 규소, 빛, 다이오드, 페르미 준위, 응집물질물리학, 절연체, 전도띠, 전자, 전자볼트, 전이, 파수, 에너지, 에너지 준위, 열, 원자가띠, PN 접합, SIC.
- 띠 이론
- 분광학
- 전자 상태
- 핵자기 공명
도핑
핑(doping)은 경기의 성적을 올리기 위해 약물을 복용하는 것을 뜻하며 예를 들어 운동 선수가 일시적으로 경기 능력을 높이기 위하여 흥분제·호르몬제 등의 약물을 복용.
보다 띠틈와 도핑
띠구조
doi.
보다 띠틈와 띠구조
발광 다이오드
발광 다이오드(發光diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이.
보다 띠틈와 발광 다이오드
갈륨비소
륨비소(Gallium arsenide, GaAs)는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이.
보다 띠틈와 갈륨비소
반도체
반도체(半導體)는 열 등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게 변화시킬 수 있는 고체 물질이.
보다 띠틈와 반도체
반도체 소자
반도체 소자 (半導體素子, semiconductor device) 또는 솔리드 스테이트 소자 (solid state device)는 전자공학에서, 반도체의 전기 전도 특성을 이용한 전자 회로나 비슷한 장치에 주로 쓰이는 부품을 뜻. 휴대전화, 컴퓨터, 텔레비전과 같은 현대의 전자제품에 반드시 내장되기 때문에, 공학에서 매우 중요.
보다 띠틈와 반도체 소자
광전 효과
속 판에서 전자의 방출을 도시한 그림, 들어오는 광자에서 얻어진 에너지가 물질의 일함수 이상필요하다. 광전 효과(光電效果)는 금속 등의 물질이 고유의 특정 파장보다 짧은 파장을 가진 (따라서 높은 에너지를 가진) 전자기파를 흡수했을때 전자를 내보내는 현상이.
보다 띠틈와 광전 효과
불순물준위
불순물준위 (impurity state)란 물질 사이에서 불순물이 만드는 준위이.
보다 띠틈와 불순물준위
규소
소(珪素/硅素←) 또는 실리콘(←)은 화학 원소로 기호는 Si(←), 원자 번호는 14이.
보다 띠틈와 규소
빛
right 빛이란 좁은 의미에서 가시광선, 즉 일반적으로 사람이 볼 수 있는, 약 400 nm에서 700nm 사이의 파장을 가진 전자기파를 뜻. 넓은 의미에서는 모든 종류의 전자기파를 지칭.
보다 띠틈와 빛
다이오드
isbn.
보다 띠틈와 다이오드
페르미 준위
르미 준위란 물리학 (양자 역학)에서 페르미-디랙 통계의 변수나 페르미입자계의 화학 위치에너지 μ이.
보다 띠틈와 페르미 준위
응집물질물리학
응집물질물리학(凝集物質物理學)은 물질의 응집된 상의 물리적인 특성을 다루는 물리학의 분야.
보다 띠틈와 응집물질물리학
절연체
절연체 (絶緣體)는 전기나 열을 전달하기 어려운 성질을 가지는 물질의 총칭이.
보다 띠틈와 절연체
전도띠
반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이.
보다 띠틈와 전도띠
전자
전자 (電子, electron) 는 음(-)의 전하를 띠고 있는 기본 입자이.
보다 띠틈와 전자
전자볼트
전자볼트(기호 eV)는 에너지의 단위로, 전자 하나가 1 볼트의 전위를 거슬러 올라갈 때 드는 일로 정의.
보다 띠틈와 전자볼트
전이
전이(transition).
보다 띠틈와 전이
파수
물리학에서, 파수(波數, wave number)는 단위 길이 안에 파동이 몇 라디안을 진행하는지 나타내는 값이.
보다 띠틈와 파수
에너지
에너지(←, ←)는 물리학에서 일을 할 수 있는 능력을 뜻. 이에 크게 벗어나지 않게, 일반적으로 '석유 에너지', '원자력 에너지'와 같이 '에너지원'이라는 뜻으로도 쓰인.
보다 띠틈와 에너지
에너지 준위
원자내 전자의 에너지 준위. 전자가 에너지를 흡수하면 바닥 상태에서 고 에너지 상태인 들뜬 상태로 올라갈 수도 있다. 에너지 준위(Energy 準位)는 원자 및 분자가 갖는 에너지의 값이.
보다 띠틈와 에너지 준위
열
물리학에서 열(熱)은 에너지가 전달되는 방식의 하나로서 일(work)과 대비.
보다 띠틈와 열
원자가띠
고체물리학에서 원자가띠(原子價-, valence band)란, 절대영도에서 전자가 존재하는 가장 높은 전자 에너지 범위를 가리.
보다 띠틈와 원자가띠
PN 접합
실리콘 p-n 접합 (전압을 주지 않음). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생.
보다 띠틈와 PN 접합
SIC
SIC는 다음과 같은 뜻이 있.
보다 띠틈와 SIC
참고하세요
띠 이론
분광학
- 감마선 분광법
- 광학적 깊이
- 그로트리안 도표
- 금지선
- 단면적 (물리학)
- 단색기
- 등흡수점
- 띠틈
- 분광광도법
- 분광학
- 분광화학
- 불투명도
- 슈타르크 효과
- 스펙트럼 애널라이저
- 양자효율
- 에너지 준위
- 음주측정기
- 인광
- 제이만 효과
- 타원계측법
- 포크트 윤곽
- 포화 흡수 분광학
- 표면 플라스몬 공명
- 형광 상관 분광학
- 훈트 규칙
- 흡광
- 흡광도
- 흡수분광학
전자 상태
핵자기 공명
또한 띠 간격, 띠간격, 밴드 갭로 알려져 있다.