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15 처지: 무정전 전원 장치, 반도체 소자, 가변 전압 가변 주파수 제어, 게이트 턴 오프 사이리스터, 인버터, 접합형 트랜지스터, 전력 반도체 소자, 전력 전자공학, 유도가열, 유도전동기, 양공 (물리학), 사이리스터, 통합 게이트 정류 사이리스터, 하이브리드 차량, MOSFET.
- MOSFET
- 고체 소자 스위치
- 인도의 발명품
- 전력 전자공학
무정전 전원 장치
무정전 전원 장치(無停電電源裝置)(UPS)는 상용 전원에서 일어날 수 있는 전원 장애를 극복하여 좋은 품질의 안정된 교류 전력을 공급하는 장치이.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 무정전 전원 장치
반도체 소자
반도체 소자 (半導體素子, semiconductor device) 또는 솔리드 스테이트 소자 (solid state device)는 전자공학에서, 반도체의 전기 전도 특성을 이용한 전자 회로나 비슷한 장치에 주로 쓰이는 부품을 뜻. 휴대전화, 컴퓨터, 텔레비전과 같은 현대의 전자제품에 반드시 내장되기 때문에, 공학에서 매우 중요.
가변 전압 가변 주파수 제어
변 전압 가변 주파수 제어(可變電壓可變周波數制御/可變電壓可變周波數制馭)는 인버터 등의 교류 전력을 출력하는 전력 변환 장치에 두어, 출력되는 교류 전력의 실효 전압과 주파수를 임의로 가변 제어하는 기술을 이른.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 가변 전압 가변 주파수 제어
게이트 턴 오프 사이리스터
GTO의 회로도 기호 또 하나의 사이리스터 회로 기호. 우측이 가장 일반적이다 게이트 턴 오프 사이리스터 (Gate Turn-Off thyristor; GTO)는 반도체 소자의 일종으로서, 게이트에 역방향의 전류를 흐르게 하는 것으로 턴 오프할 수 있는 기능을 가진 사이리스터이.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 게이트 턴 오프 사이리스터
인버터
인버터(Inverter)는 직류(DC)를 교류(AC)로 바꾸기 위한 전기적 장치이.
접합형 트랜지스터
접합형 트랜지스터는 1947년 Bell 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 접합형 트랜지스터
전력 반도체 소자
전력 반도체 소자(Power semiconductor device)는, 전력 장치용의 반도체소자이.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 전력 반도체 소자
전력 전자공학
전력 전자공학 (power electronics)은 전력 반도체 소자를 이용한 전력 변환, 전력 개폐에 관한 기술을 취급하는 공학이.
유도가열
유도 가열(誘導 加熱, induction heating(IH))이란 전자기 유도를 이용하여 금속물체를 가열시키는 방법이.
유도전동기
섬네일 유도전동기(誘導電動機)는 교류 전동기의 대표적인 예이.
양공 (물리학)
응집물질물리학에서, 양공(陽孔)은 반도체 (혹은 절연체)에 대하여 (원래 전자로 채워져 있어야 됨) 원자가띠의 전자가 부족한 상태인 준입자이.
사이리스터
사이리스터 회로 기호 사이리스터(Thyristor)란, 제어단자(G)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A)과 음극(K) 사이를 도통(導通)시킬 수 있는 3단자의 반도체 소자이.
통합 게이트 정류 사이리스터
호 통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자이.
보다 절연 게이트 양극성 트랜지스터와 통합 게이트 정류 사이리스터
하이브리드 차량
요타 프리우스, 전 세계적으로 판매되는 하이브리드 전기 자동차 하이브리드 차량인 도요타의 Prius 뉴욕 교통당국이 사용했던 Prius 하이브리드 차량()은 단일 동력원의 일반 자동차와 달리 두 개 이상의 동력원에 의해 차체가 구동되는 차량이고 이 용어는 내연 기관과 전기자동차를 포함하는 하이브리드 전기 자동차 (HEV)를 가리키는 데 주로 쓰인.
MOSFET
GGGG 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이.
참고하세요
MOSFET
- MOSFET
- NMOS 논리
- 강대원
- 결핍 영역
- 마틴 아탈라
- 무어의 법칙
- 박막 트랜지스터
- 반도체 메모리
- 액티브 픽셀 센서
- 이미지 센서
- 전력 MOSFET
- 전력 반도체 소자
- 전자 이동도
- 전하결합소자
- 절연 게이트 양극성 트랜지스터
- 주기억장치
- 초고밀도 집적 회로
고체 소자 스위치
- 게이트 턴 오프 사이리스터
- 반도체 릴레이
- 사이리스터
- 전력 MOSFET
- 절연 게이트 양극성 트랜지스터
- 통합 게이트 정류 사이리스터
- 포토 커플러
인도의 발명품
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- 고체 로켓
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- 심퓨터
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- 요가
- 이산 코사인 변환
- 인간 개발 지수
- 인더스 문자
- 인도 고전 음악
- 저울
- 절연 게이트 양극성 트랜지스터
- 제강
- 조면기
- 차크람
- 차투랑가
전력 전자공학
또한 IGBT, 절연 게이트 바이폴러 트랜지스터로 알려져 있다.